APT95GR65JDU60
- Производитель-деталь №
- APT95GR65JDU60
- Производитель
- Microsemi
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- APT95GR65JDU60
- Описание
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Microsemi
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
- Current - Collector (Ic) (Max) :
- 135 A
- Current - Collector Pulsed (Icm) :
- 380 A
- Gate Charge :
- 420 nC
- IGBT Type :
- NPT
- Input Type :
- Standard
- Mounting Type :
- Chassis Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- SOT-227-4, miniBLOC
- Power - Max :
- 446 W
- Product Status :
- Obsolete
- Reverse Recovery Time (trr) :
- -
- Supplier Device Package :
- SOT-227
- Switching Energy :
- -
- Td (on/off) @ 25°C :
- 29ns/226ns
- Test Condition :
- 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
- 2.4V @ 15V, 95A
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
- 650 V
- lang_0258
- APT95GR65JDU60
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| APT90DR160HJ | Microchip Technology | 35,000 | BRIDGE RECT 1PHASE 1.6KV SOT227 |
| APT94N60L2C3G | Microchip Technology | 30 | MOSFET N-CH 600V 94A 264 MAX |
| APT94N65B2C3G | Microsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX |
| APT94N65B2C6 | Microchip Technology | 35,000 | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX |
| APT95GR65B2 | Microchip Technology | 17 | IGBT 650V 208A 892W T-MAX |
| APT97N65LC6 | Microsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 650V 97A TO264 |
| APT9F100B | Microchip Technology | 35,000 | MOSFET N-CH 1000V 9A TO247 |
| APT9F100S | Microsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK |
| APT9M100B | Microchip Technology | 35,000 | MOSFET N-CH 1000V 9A TO247 |
| APT9M100S | Microchip Technology | 632 | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK |
| APT9M100S/TR | Microchip Technology | 400 | MOSFET MOS8 1000 V 9 A TO-268 |
