APT95GR65B2
- Производитель-деталь №
- APT95GR65B2
- Производитель
- Microchip Technology
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- APT95GR65B2
- Описание
- IGBT 650V 208A 892W T-MAX
- lang_0071
- 17
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Microchip Technology
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
- Current - Collector (Ic) (Max) :
- 208 A
- Current - Collector Pulsed (Icm) :
- 400 A
- Gate Charge :
- 420 nC
- IGBT Type :
- NPT
- Input Type :
- Standard
- Mounting Type :
- Through Hole
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- TO-247-3
- Power - Max :
- 892 W
- Product Status :
- Active
- Reverse Recovery Time (trr) :
- -
- Supplier Device Package :
- T-MAX™ [B2]
- Switching Energy :
- 3.12mJ (on), 2.55mJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C :
- 29ns/226ns
- Test Condition :
- 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
- 2.4V @ 15V, 95A
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
- 650 V
- lang_0258
- APT95GR65B2
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
Деталь | Производитель | Склад | Описание |
---|---|---|---|
APT90DR160HJ | Microchip Technology | 35,000 | BRIDGE RECT 1PHASE 1.6KV SOT227 |
APT94N60L2C3G | Microchip Technology | 30 | MOSFET N-CH 600V 94A 264 MAX |
APT94N65B2C3G | Microsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX |
APT94N65B2C6 | Microchip Technology | 35,000 | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX |
APT95GR65JDU60 | Microsemi | 35,000 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
APT97N65LC6 | Microsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 650V 97A TO264 |
APT9F100B | Microchip Technology | 35,000 | MOSFET N-CH 1000V 9A TO247 |
APT9F100S | Microsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK |
APT9M100B | Microchip Technology | 35,000 | MOSFET N-CH 1000V 9A TO247 |
APT9M100S | Microchip Technology | 632 | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK |
APT9M100S/TR | Microchip Technology | 400 | MOSFET MOS8 1000 V 9 A TO-268 |