APT90DR160HJ
- Производитель-деталь №
- APT90DR160HJ
- Производитель
- Microchip Technology
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- APT90DR160HJ
- Описание
- BRIDGE RECT 1PHASE 1.6KV SOT227
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Microchip Technology
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Diodes - Bridge Rectifiers
- Current - Average Rectified (Io) :
- -
- Current - Reverse Leakage @ Vr :
- 50 µA @ 1600 V
- Diode Type :
- Single Phase
- Mounting Type :
- Chassis Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- SOT-227-4, miniBLOC
- Product Status :
- Active
- Supplier Device Package :
- SOT-227
- Technology :
- Standard
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
- 1.3 V @ 90 A
- Voltage - Peak Reverse (Max) :
- 1.6 kV
- lang_0258
- APT90DR160HJ
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| APT94N60L2C3G | Microchip Technology | 30 | MOSFET N-CH 600V 94A 264 MAX |
| APT94N65B2C3G | Microsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX |
| APT94N65B2C6 | Microchip Technology | 35,000 | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX |
| APT95GR65B2 | Microchip Technology | 17 | IGBT 650V 208A 892W T-MAX |
| APT95GR65JDU60 | Microsemi | 35,000 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| APT97N65LC6 | Microsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 650V 97A TO264 |
| APT9F100B | Microchip Technology | 35,000 | MOSFET N-CH 1000V 9A TO247 |
| APT9F100S | Microsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK |
| APT9M100B | Microchip Technology | 35,000 | MOSFET N-CH 1000V 9A TO247 |
| APT9M100S | Microchip Technology | 632 | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK |
| APT9M100S/TR | Microchip Technology | 400 | MOSFET MOS8 1000 V 9 A TO-268 |
