APT94N60L2C3G

Производитель-деталь №
APT94N60L2C3G
Производитель
Microchip Technology
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
APT94N60L2C3G
Описание
MOSFET N-CH 600V 94A 264 MAX
lang_0071
30

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Microchip Technology
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
94A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
13600 pF @ 25 V
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-264-3, TO-264AA
Power Dissipation (Max) :
833W (Tc)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package :
264 MAX™ [L2]
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id :
3.9V @ 5.4mA
lang_0258
APT94N60L2C3G

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
APT90DR160HJ Microchip Technology 35,000 BRIDGE RECT 1PHASE 1.6KV SOT227
APT94N65B2C3G Microsemi 35,000 MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX
APT94N65B2C6 Microchip Technology 35,000 MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
APT95GR65B2 Microchip Technology 17 IGBT 650V 208A 892W T-MAX
APT95GR65JDU60 Microsemi 35,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
APT97N65LC6 Microsemi 35,000 MOSFET N-CH 650V 97A TO264
APT9F100B Microchip Technology 35,000 MOSFET N-CH 1000V 9A TO247
APT9F100S Microsemi 35,000 MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
APT9M100B Microchip Technology 35,000 MOSFET N-CH 1000V 9A TO247
APT9M100S Microchip Technology 632 MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
APT9M100S/TR Microchip Technology 400 MOSFET MOS8 1000 V 9 A TO-268