APT94N60L2C3G
- Производитель-деталь №
- APT94N60L2C3G
- Производитель
- Microchip Technology
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- APT94N60L2C3G
- Описание
- MOSFET N-CH 600V 94A 264 MAX
- lang_0071
- 30
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Microchip Technology
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 94A (Tc)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 600 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
- 10V
- FET Feature :
- -
- FET Type :
- N-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 640 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 13600 pF @ 25 V
- Mounting Type :
- Through Hole
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- TO-264-3, TO-264AA
- Power Dissipation (Max) :
- 833W (Tc)
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 35mOhm @ 60A, 10V
- Supplier Device Package :
- 264 MAX™ [L2]
- Technology :
- MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Max) :
- ±20V
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 3.9V @ 5.4mA
- lang_0258
- APT94N60L2C3G
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
Деталь | Производитель | Склад | Описание |
---|---|---|---|
APT90DR160HJ | Microchip Technology | 35,000 | BRIDGE RECT 1PHASE 1.6KV SOT227 |
APT94N65B2C3G | Microsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX |
APT94N65B2C6 | Microchip Technology | 35,000 | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX |
APT95GR65B2 | Microchip Technology | 17 | IGBT 650V 208A 892W T-MAX |
APT95GR65JDU60 | Microsemi | 35,000 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
APT97N65LC6 | Microsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 650V 97A TO264 |
APT9F100B | Microchip Technology | 35,000 | MOSFET N-CH 1000V 9A TO247 |
APT9F100S | Microsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK |
APT9M100B | Microchip Technology | 35,000 | MOSFET N-CH 1000V 9A TO247 |
APT9M100S | Microchip Technology | 632 | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK |
APT9M100S/TR | Microchip Technology | 400 | MOSFET MOS8 1000 V 9 A TO-268 |