FGA30N120FTDTU

Производитель-деталь №
FGA30N120FTDTU
Производитель
onsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
FGA30N120FTDTU
Описание
IGBT 1200V 60A 339W TO3P
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
onsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
90 A
Gate Charge :
208 nC
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max :
339 W
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
730 ns
Supplier Device Package :
TO-3PN
Switching Energy :
-
Td (on/off) @ 25°C :
-
Test Condition :
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
lang_0258
FGA30N120FTDTU

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
FGA3060ADF onsemi 450 IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3PN
FGA3060ADF Fairchild Semiconductor 368 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA30N60LSDTU onsemi 418 IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3P
FGA30N65SMD Fairchild Semiconductor 11,102 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA30N65SMD onsemi 35,000 IGBT FIELD STOP 650V 60A TO3PN
FGA30S120P onsemi 35,000 IGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PN
FGA30S120P Fairchild Semiconductor 35,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA30T65SHD onsemi 35,000 IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
FGA30T65SHD Fairchild Semiconductor 35,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO