FGA30N60LSDTU

Производитель-деталь №
FGA30N60LSDTU
Производитель
onsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
FGA30N60LSDTU
Описание
IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3P
lang_0071
418

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
onsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
90 A
Gate Charge :
225 nC
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max :
480 W
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
35 ns
Supplier Device Package :
TO-3P
Switching Energy :
1.1mJ (on), 21mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
18ns/250ns
Test Condition :
400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
1.4V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
600 V
lang_0258
FGA30N60LSDTU

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
FGA3060ADF onsemi 450 IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3PN
FGA3060ADF Fairchild Semiconductor 368 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA30N120FTDTU onsemi 35,000 IGBT 1200V 60A 339W TO3P
FGA30N65SMD Fairchild Semiconductor 11,102 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA30N65SMD onsemi 35,000 IGBT FIELD STOP 650V 60A TO3PN
FGA30S120P onsemi 35,000 IGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PN
FGA30S120P Fairchild Semiconductor 35,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA30T65SHD onsemi 35,000 IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
FGA30T65SHD Fairchild Semiconductor 35,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO