FGA30S120P

Производитель-деталь №
FGA30S120P
Производитель
onsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
FGA30S120P
Описание
IGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PN
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
onsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
150 A
Gate Charge :
78 nC
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max :
348 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Supplier Device Package :
TO-3PN
Switching Energy :
-
Td (on/off) @ 25°C :
-
Test Condition :
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.3V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1300 V
lang_0258
FGA30S120P

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
FGA3060ADF onsemi 450 IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3PN
FGA3060ADF Fairchild Semiconductor 368 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA30N120FTDTU onsemi 35,000 IGBT 1200V 60A 339W TO3P
FGA30N60LSDTU onsemi 418 IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3P
FGA30N65SMD Fairchild Semiconductor 11,102 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA30N65SMD onsemi 35,000 IGBT FIELD STOP 650V 60A TO3PN
FGA30S120P Fairchild Semiconductor 35,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA30T65SHD onsemi 35,000 IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
FGA30T65SHD Fairchild Semiconductor 35,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO