FGA6065ADF

Производитель-деталь №
FGA6065ADF
Производитель
Fairchild Semiconductor
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
FGA6065ADF
Описание
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Fairchild Semiconductor
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
120 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
180 A
Gate Charge :
84 nC
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max :
306 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
110 ns
Supplier Device Package :
TO-3PN
Switching Energy :
2.46mJ (on), 520µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
25.6ns/71ns
Test Condition :
400V, 60A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.3V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
650 V
lang_0258
FGA6065ADF

Продукты, связанные с производителем

  • Fairchild Semiconductor
    TVS DIODE 15.3VWM 25.5VC DO214AC
  • Fairchild Semiconductor
    TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO204AC
  • Fairchild Semiconductor
    TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO204AC
  • Fairchild Semiconductor
    TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO15
  • Fairchild Semiconductor
    TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO15

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
FGA6065ADF onsemi 35,000 IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN
FGA60N60UFDTU onsemi 35,000 IGBT 600V 120A 298W TO3P
FGA60N65SMD onsemi 51 IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P
FGA6530WDF onsemi 35,000 IGBT 650V 60A 176W TO3PN
FGA6540WDF onsemi 35,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA6540WDF Fairchild Semiconductor 35,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA6540WDF onsemi 35,000 IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN
FGA6560WDF onsemi 35,000 IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN