FGA6560WDF

Производитель-деталь №
FGA6560WDF
Производитель
onsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
FGA6560WDF
Описание
IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
onsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
120 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
180 A
Gate Charge :
84 nC
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max :
306 W
Product Status :
Last Time Buy
Reverse Recovery Time (trr) :
110 ns
Supplier Device Package :
TO-3PN
Switching Energy :
2.46mJ (on), 520µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
25.6ns/71ns
Test Condition :
400V, 60A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.3V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
650 V
lang_0258
FGA6560WDF

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
FGA6065ADF Fairchild Semiconductor 35,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA6065ADF onsemi 35,000 IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN
FGA60N60UFDTU onsemi 35,000 IGBT 600V 120A 298W TO3P
FGA60N65SMD onsemi 51 IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P
FGA6530WDF onsemi 35,000 IGBT 650V 60A 176W TO3PN
FGA6540WDF onsemi 35,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA6540WDF Fairchild Semiconductor 35,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA6540WDF onsemi 35,000 IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN