FGA60N65SMD

Производитель-деталь №
FGA60N65SMD
Производитель
onsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
FGA60N65SMD
Описание
IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P
lang_0071
51

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
onsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
120 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
180 A
Gate Charge :
189 nC
IGBT Type :
Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max :
600 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
47 ns
Supplier Device Package :
TO-3P
Switching Energy :
1.54mJ (on), 450µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
18ns/104ns
Test Condition :
400V, 60A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.5V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
650 V
lang_0258
FGA60N65SMD

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
FGA6065ADF Fairchild Semiconductor 35,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA6065ADF onsemi 35,000 IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN
FGA60N60UFDTU onsemi 35,000 IGBT 600V 120A 298W TO3P
FGA6530WDF onsemi 35,000 IGBT 650V 60A 176W TO3PN
FGA6540WDF onsemi 35,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA6540WDF Fairchild Semiconductor 35,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA6540WDF onsemi 35,000 IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN
FGA6560WDF onsemi 35,000 IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN