2N2018

Производитель-деталь №
2N2018
Производитель
General Semiconductor
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
2N2018
Описание
TRANS NPN 125V 1A TO111
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
General Semiconductor
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
1 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
20 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition :
2MHz
Mounting Type :
Stud Mount
Operating Temperature :
-
Package / Case :
TO-111-4, Stud
Power - Max :
20 W
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
TO-111
Transistor Type :
-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
6V @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
125 V
lang_0258
2N2018

Продукты, связанные с производителем

  • General Semiconductor
    TRANS 250V 3A TO59
  • General Semiconductor
    TRANS NPN 40V 3A TO61
  • General Semiconductor
    TRANS NPN 115V 1A TO5
  • General Semiconductor
    TRANS 80V 10A TO61
  • General Semiconductor
    TRANS 80V 3A TO5

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
2N2060 Microchip Technology 35,000 NPN TRANSISTOR
2N2060 Central Semiconductor 35,000 TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6
2N2060A Central Semiconductor 35,000 TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6
2N2060L Microchip Technology 35,000 TRANS 2NPN 60V 0.5A TO78
2N2060M Central Semiconductor 35,000 TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6