2N2101

Производитель-деталь №
2N2101
Производитель
General Semiconductor
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
2N2101
Описание
TRANS NPN 40V 3A TO61
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
General Semiconductor
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
3 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
15 @ 1A, 15V
Frequency - Transition :
-
Mounting Type :
Stud Mount
Operating Temperature :
-
Package / Case :
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Power - Max :
41 W
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
TO-61
Transistor Type :
-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
1.2V @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
40 V
lang_0258
2N2101

Продукты, связанные с производителем

  • General Semiconductor
    TRANS 250V 3A TO59
  • General Semiconductor
    TRANS NPN 115V 1A TO5
  • General Semiconductor
    TRANS 80V 10A TO61
  • General Semiconductor
    TRANS 80V 3A TO5
  • General Semiconductor
    TRANS 80V 5A TO111

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
2N2102 NTE Electronics, Inc. 179 TRANS NPN 65V 1A TO39
2N2102 Solid State Inc. 680 TRANS NPN 65V 1A TO39
2N2102 Microchip Technology 35,000 TRANS PNP 65V 1A TO5
2N2102 onsemi 35,000 TRANS PNP 65V 1A TO5
2N2102 STMicroelectronics 35,000 TRANS NPN 65V 1A TO39
2N2102 PBFREE Central Semiconductor 35,000 TRANS NPN 65V 1A TO39
2N2102A Microchip Technology 35,000 TRANS PNP 65V 1A TO5
2N2102S Microchip Technology 35,000 NPN TRANSISTOR
2N2106 Microchip Technology 35,000 SMALL-SIGNAL BJT
2N2107 Microchip Technology 35,000 SMALL-SIGNAL BJT
2N2108 Microchip Technology 35,000 SMALL-SIGNAL BJT