2N2102

Производитель-деталь №
2N2102
Производитель
Solid State Inc.
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
2N2102
Описание
TRANS NPN 65V 1A TO39
lang_0071
680

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Solid State Inc.
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
1 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
2nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
40 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition :
60MHz
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case :
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Power - Max :
1 mW
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
TO-39
Transistor Type :
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
500mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
65 V
lang_0258
2N2102

Продукты, связанные с производителем

  • Solid State Inc.
    15KW TVS UNIDIRECTIONAL
  • Solid State Inc.
    15KW TVS BIDIRECTIONAL
  • Solid State Inc.
    15KW TVS UNIDIRECTIONAL
  • Solid State Inc.
    15KW TVS BIDIRECTIONAL
  • Solid State Inc.
    15KW TVS UNIDIRECTIONAL

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
2N2101 General Semiconductor 35,000 TRANS NPN 40V 3A TO61
2N2102 NTE Electronics, Inc. 179 TRANS NPN 65V 1A TO39
2N2102 Microchip Technology 35,000 TRANS PNP 65V 1A TO5
2N2102 onsemi 35,000 TRANS PNP 65V 1A TO5
2N2102 STMicroelectronics 35,000 TRANS NPN 65V 1A TO39
2N2102 PBFREE Central Semiconductor 35,000 TRANS NPN 65V 1A TO39
2N2102A Microchip Technology 35,000 TRANS PNP 65V 1A TO5
2N2102S Microchip Technology 35,000 NPN TRANSISTOR
2N2106 Microchip Technology 35,000 SMALL-SIGNAL BJT
2N2107 Microchip Technology 35,000 SMALL-SIGNAL BJT
2N2108 Microchip Technology 35,000 SMALL-SIGNAL BJT