1N821-1E3/TR

Производитель-деталь №
1N821-1E3/TR
Производитель
Microchip Technology
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
1N821-1E3/TR
Описание
DIODE ZENER TEMP COMPENSATED
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Microchip Technology
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Zener - Single
Current - Reverse Leakage @ Vr :
2 µA @ 3 V
Impedance (Max) (Zzt) :
15 Ohms
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
DO-204AH, DO-35, Axial
Power - Max :
500 mW
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
DO-35 (DO-204AH)
Tolerance :
±5%
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
-
Voltage - Zener (Nom) (Vz) :
6.2 V
lang_0258
1N821-1E3/TR

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
1N821 Microchip Technology 35,000 DIODE ZENER DO35
1N821-1 Microchip Technology 344 DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
1N821-1/TR Microchip Technology 35,000 DIODE ZENER TEMP COMPENSATED
1N821-1E3 Microchip Technology 35,000 DIODE ZENER TEMP COMPENSATED
1N821/TR Microchip Technology 35,000 DIODE ZENER TEMP COMPENSATED
1N821A Microchip Technology 508 DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
1N821A Solid State Inc. 4,880 DIODE ZENER 6.2V 400MW DO35
1N821A NTE Electronics, Inc. 384 DIODE ZENER 6.2V 400MW DO35
1N821A (DO35) Microsemi 35,000 DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
1N821A BK Central Semiconductor 35,000 TRANSISTOR
1N821A TR Central Semiconductor 35,000 TRANSISTOR
1N821A, SEL. 1% VBR Microsemi 35,000 DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
1N821A-1 Microchip Technology 35,000 ZENER DIODE
1N821A-1/TR Microchip Technology 35,000 DIODE ZENER TEMP COMPENSATED
1N821A-1E3 Microchip Technology 35,000 DIODE ZENER TEMP COMPENSATED