1N821A-1
- Производитель-деталь №
- 1N821A-1
- Производитель
- Microchip Technology
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- 1N821A-1
- Описание
- ZENER DIODE
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Microchip Technology
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Diodes - Zener - Single
- Current - Reverse Leakage @ Vr :
- 2 µA @ 3 V
- Impedance (Max) (Zzt) :
- 10 Ohms
- Mounting Type :
- Through Hole
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case :
- DO-204AH, DO-35, Axial
- Power - Max :
- 500 mW
- Product Status :
- Active
- Supplier Device Package :
- DO-35 (DO-204AH)
- Tolerance :
- ±5%
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
- -
- Voltage - Zener (Nom) (Vz) :
- 6.2 V
- lang_0258
- 1N821A-1
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
Деталь | Производитель | Склад | Описание |
---|---|---|---|
1N821 | Microchip Technology | 35,000 | DIODE ZENER DO35 |
1N821-1 | Microchip Technology | 344 | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 |
1N821-1/TR | Microchip Technology | 35,000 | DIODE ZENER TEMP COMPENSATED |
1N821-1E3 | Microchip Technology | 35,000 | DIODE ZENER TEMP COMPENSATED |
1N821-1E3/TR | Microchip Technology | 35,000 | DIODE ZENER TEMP COMPENSATED |
1N821/TR | Microchip Technology | 35,000 | DIODE ZENER TEMP COMPENSATED |
1N821A | Microchip Technology | 508 | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 |
1N821A | Solid State Inc. | 4,880 | DIODE ZENER 6.2V 400MW DO35 |
1N821A | NTE Electronics, Inc. | 384 | DIODE ZENER 6.2V 400MW DO35 |
1N821A (DO35) | Microsemi | 35,000 | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 |
1N821A BK | Central Semiconductor | 35,000 | TRANSISTOR |
1N821A TR | Central Semiconductor | 35,000 | TRANSISTOR |
1N821A, SEL. 1% VBR | Microsemi | 35,000 | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 |
1N821A-1/TR | Microchip Technology | 35,000 | DIODE ZENER TEMP COMPENSATED |
1N821A-1E3 | Microchip Technology | 35,000 | DIODE ZENER TEMP COMPENSATED |