1N821A

Производитель-деталь №
1N821A
Производитель
Solid State Inc.
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
1N821A
Описание
DIODE ZENER 6.2V 400MW DO35
lang_0071
4880

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Solid State Inc.
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Zener - Single
Current - Reverse Leakage @ Vr :
-
Impedance (Max) (Zzt) :
15 Ohms
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
DO-204AH, DO-35, Axial
Power - Max :
400 mW
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
DO-35
Tolerance :
±5%
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
-
Voltage - Zener (Nom) (Vz) :
6.2 V
lang_0258
1N821A

Продукты, связанные с производителем

  • Solid State Inc.
    15KW TVS UNIDIRECTIONAL
  • Solid State Inc.
    15KW TVS BIDIRECTIONAL
  • Solid State Inc.
    15KW TVS UNIDIRECTIONAL
  • Solid State Inc.
    15KW TVS BIDIRECTIONAL
  • Solid State Inc.
    15KW TVS UNIDIRECTIONAL

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
1N821 Microchip Technology 35,000 DIODE ZENER DO35
1N821-1 Microchip Technology 344 DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
1N821-1/TR Microchip Technology 35,000 DIODE ZENER TEMP COMPENSATED
1N821-1E3 Microchip Technology 35,000 DIODE ZENER TEMP COMPENSATED
1N821-1E3/TR Microchip Technology 35,000 DIODE ZENER TEMP COMPENSATED
1N821/TR Microchip Technology 35,000 DIODE ZENER TEMP COMPENSATED
1N821A Microchip Technology 508 DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
1N821A NTE Electronics, Inc. 384 DIODE ZENER 6.2V 400MW DO35
1N821A (DO35) Microsemi 35,000 DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
1N821A BK Central Semiconductor 35,000 TRANSISTOR
1N821A TR Central Semiconductor 35,000 TRANSISTOR
1N821A, SEL. 1% VBR Microsemi 35,000 DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
1N821A-1 Microchip Technology 35,000 ZENER DIODE
1N821A-1/TR Microchip Technology 35,000 DIODE ZENER TEMP COMPENSATED
1N821A-1E3 Microchip Technology 35,000 DIODE ZENER TEMP COMPENSATED