IDB18E120ATMA1

Производитель-деталь №
IDB18E120ATMA1
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
IDB18E120ATMA1
Описание
DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
31A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
100 µA @ 1200 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 150°C
Package / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
195 ns
Speed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
2.15 V @ 18 A
lang_0258
IDB18E120ATMA1

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • ROHM Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB
  • onsemi
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
  • Nexperia
    DIODE GP 100V 215MA TO236AB

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IDB10S60C Infineon Technologies 35,000 DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
IDB10S60CATMA2 Infineon Technologies 35,000 DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK
IDB12E120ATMA1 Infineon Technologies 35,000 DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3
IDB15E60 Infineon Technologies 35,000 DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263
IDB15E60ATMA1 Infineon Technologies 35,000 DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263
IDB18E120 Infineon Technologies 21,100 RECTIFIER DIODE, 31A, 1200V