IDB18E120

Производитель-деталь №
IDB18E120
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
IDB18E120
Описание
RECTIFIER DIODE, 31A, 1200V
lang_0071
21100

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
31A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
100 µA @ 1200 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 150°C
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
195 ns
Speed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
14-TSSOP
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
2.15 V @ 18 A
lang_0258
IDB18E120

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • ROHM Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB
  • onsemi
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
  • Nexperia
    DIODE GP 100V 215MA TO236AB

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IDB10S60C Infineon Technologies 35,000 DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
IDB10S60CATMA2 Infineon Technologies 35,000 DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK
IDB12E120ATMA1 Infineon Technologies 35,000 DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3
IDB15E60 Infineon Technologies 35,000 DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263
IDB15E60ATMA1 Infineon Technologies 35,000 DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263
IDB18E120ATMA1 Infineon Technologies 35,000 DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3