IDB15E60
- Производитель-деталь №
- IDB15E60
- Производитель
- Infineon Technologies
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- IDB15E60
- Описание
- DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Infineon Technologies
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
- Capacitance @ Vr, F :
- -
- Current - Average Rectified (Io) :
- 29.2A
- Current - Reverse Leakage @ Vr :
- 50 µA @ 600 V
- Diode Type :
- Standard
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature - Junction :
- -55°C ~ 175°C
- Package / Case :
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Product Status :
- Obsolete
- Reverse Recovery Time (trr) :
- 87 ns
- Speed :
- Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Supplier Device Package :
- PG-TO263-3-2
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
- 600 V
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
- 2 V @ 15 A
- lang_0258
- IDB15E60
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
Деталь | Производитель | Склад | Описание |
---|---|---|---|
IDB10S60C | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE SILICON 600V 10A D2PAK |
IDB10S60CATMA2 | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK |
IDB12E120ATMA1 | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3 |
IDB15E60ATMA1 | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263 |
IDB18E120 | Infineon Technologies | 21,100 | RECTIFIER DIODE, 31A, 1200V |
IDB18E120ATMA1 | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3 |