FGA50S110P

Производитель-деталь №
FGA50S110P
Производитель
onsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
FGA50S110P
Описание
IGBT TRENCH/FS 1100V 50A TO3PN
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
onsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
120 A
Gate Charge :
195 nC
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max :
300 W
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Supplier Device Package :
TO-3PN
Switching Energy :
-
Td (on/off) @ 25°C :
-
Test Condition :
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.6V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1100 V
lang_0258
FGA50S110P

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
FGA5065ADF Fairchild Semiconductor 325 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA5065ADF onsemi 35,000 IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
FGA50N100BNTD2 onsemi 35,000 IGBT 1000V 50A 156W TO3P
FGA50N100BNTDTU onsemi 35,000 IGBT 1000V 50A 156W TO3P
FGA50N100BNTTU Fairchild Semiconductor 2,102 IGBT, 50A, 1000V, N-CHANNEL
FGA50N100BNTTU onsemi 35,000 IGBT 1000V 50A 156W TO3P
FGA50N60LS onsemi 35,000 IGBT 600V 100A 240W TO3P
FGA50S110P Fairchild Semiconductor 45,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA50T65SHD onsemi 35,000 IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
FGA50T65SHD-01 onsemi 35,000 FGA50T65SHD-01