FGA5065ADF

Производитель-деталь №
FGA5065ADF
Производитель
onsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
FGA5065ADF
Описание
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
onsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
150 A
Gate Charge :
72.2 nC
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max :
268 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
31.8 ns
Supplier Device Package :
TO-3PN
Switching Energy :
1.35mJ (on), 309µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
20.8ns/62.4ns
Test Condition :
400V, 50A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.2V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
650 V
lang_0258
FGA5065ADF

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
FGA5065ADF Fairchild Semiconductor 325 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA50N100BNTD2 onsemi 35,000 IGBT 1000V 50A 156W TO3P
FGA50N100BNTDTU onsemi 35,000 IGBT 1000V 50A 156W TO3P
FGA50N100BNTTU Fairchild Semiconductor 2,102 IGBT, 50A, 1000V, N-CHANNEL
FGA50N100BNTTU onsemi 35,000 IGBT 1000V 50A 156W TO3P
FGA50N60LS onsemi 35,000 IGBT 600V 100A 240W TO3P
FGA50S110P Fairchild Semiconductor 45,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA50S110P onsemi 35,000 IGBT TRENCH/FS 1100V 50A TO3PN
FGA50T65SHD onsemi 35,000 IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
FGA50T65SHD-01 onsemi 35,000 FGA50T65SHD-01