FGY75N60SMD

Производитель-деталь №
FGY75N60SMD
Производитель
Fairchild Semiconductor
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
FGY75N60SMD
Описание
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Fairchild Semiconductor
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
150 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
225 A
Gate Charge :
248 nC
IGBT Type :
Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-247-3 Variant
Power - Max :
750 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
55 ns
Supplier Device Package :
PowerTO-247-3
Switching Energy :
2.3mJ (on), 770µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
24ns/136ns
Test Condition :
400V, 75A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.5V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
600 V
lang_0258
FGY75N60SMD

Продукты, связанные с производителем

  • Fairchild Semiconductor
    TVS DIODE 15.3VWM 25.5VC DO214AC
  • Fairchild Semiconductor
    TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO204AC
  • Fairchild Semiconductor
    TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO204AC
  • Fairchild Semiconductor
    TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO15
  • Fairchild Semiconductor
    TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO15

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
FGY75N60SMD onsemi 35,000 IGBT 600V 150A 750W POWER-247
FGY75T120SQDN onsemi 35,000 IGBT 1200V 75A UFS
FGY75T95LQDT onsemi 195 IGBT 950V 75A
FGY75T95SQDT onsemi 2 IGBT 950V 75A