FGY75T120SQDN

Производитель-деталь №
FGY75T120SQDN
Производитель
onsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
FGY75T120SQDN
Описание
IGBT 1200V 75A UFS
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
onsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
150 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
300 A
Gate Charge :
399 nC
IGBT Type :
Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-247-3 Variant
Power - Max :
790 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
99 ns
Supplier Device Package :
TO-247-3
Switching Energy :
6.25mJ (on), 1.96mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
64ns/332ns
Test Condition :
600V, 75A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
1.95V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
lang_0258
FGY75T120SQDN

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
FGY75N60SMD Fairchild Semiconductor 35,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGY75N60SMD onsemi 35,000 IGBT 600V 150A 750W POWER-247
FGY75T95LQDT onsemi 195 IGBT 950V 75A
FGY75T95SQDT onsemi 2 IGBT 950V 75A