RFD8P05SM

Производитель-деталь №
RFD8P05SM
Производитель
onsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
RFD8P05SM
Описание
MOSFET P-CH 50V 8A TO252AA
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
onsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
-
FET Feature :
-
FET Type :
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-
Package / Case :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power Dissipation (Max) :
-
Product Status :
Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
300mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package :
TO-252AA
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
-
Vgs(th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
lang_0258
RFD8P05SM

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
RFD8P03LSM Harris Corporation 35,000 RFD8P03LSM
RFD8P03LSM96 Harris Corporation 1,800 RFD8P03LSM96
RFD8P05 onsemi 35,000 MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK
RFD8P05SM Fairchild Semiconductor 35,000 MOSFET P-CH 50V 8A TO252AA
RFD8P05SM9A Harris Corporation 3,171 P-CHANNEL POWER MOSFET
RFD8P05SM9AS2463 Harris Corporation 2,500 8A, 50V, 0.300 OHM, P-CHANNEL
RFD8P06E Harris Corporation 2,278 P-CHANNEL POWER MOSFET
RFD8P06ESM Harris Corporation 35,000 P-CHANNEL POWER MOSFET
RFD8P06LE Fairchild Semiconductor 7,200 P-CHANNEL POWER MOSFET
RFD8P06LE Harris Corporation 35,000 8A, 60V, 0.33OHM, P-CHANNEL POWE