RFD8P06E

Производитель-деталь №
RFD8P06E
Производитель
Harris Corporation
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
RFD8P06E
Описание
P-CHANNEL POWER MOSFET
lang_0071
2278

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Harris Corporation
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
-
Drain to Source Voltage (Vdss) :
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
-
FET Feature :
-
FET Type :
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
-
Package / Case :
-
Power Dissipation (Max) :
-
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
-
Vgs (Max) :
-
Vgs(th) (Max) @ Id :
-
lang_0258
RFD8P06E

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
RFD8P03LSM Harris Corporation 35,000 RFD8P03LSM
RFD8P03LSM96 Harris Corporation 1,800 RFD8P03LSM96
RFD8P05 onsemi 35,000 MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK
RFD8P05SM Fairchild Semiconductor 35,000 MOSFET P-CH 50V 8A TO252AA
RFD8P05SM onsemi 35,000 MOSFET P-CH 50V 8A TO252AA
RFD8P05SM9A Harris Corporation 3,171 P-CHANNEL POWER MOSFET
RFD8P05SM9AS2463 Harris Corporation 2,500 8A, 50V, 0.300 OHM, P-CHANNEL
RFD8P06ESM Harris Corporation 35,000 P-CHANNEL POWER MOSFET
RFD8P06LE Fairchild Semiconductor 7,200 P-CHANNEL POWER MOSFET
RFD8P06LE Harris Corporation 35,000 8A, 60V, 0.33OHM, P-CHANNEL POWE