RF1S22N10

Производитель-деталь №
RF1S22N10
Производитель
Harris Corporation
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
RF1S22N10
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET
lang_0071
1990

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Harris Corporation
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
-
Drain to Source Voltage (Vdss) :
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
-
FET Feature :
-
FET Type :
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
-
Package / Case :
-
Power Dissipation (Max) :
-
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
-
Vgs (Max) :
-
Vgs(th) (Max) @ Id :
-
lang_0258
RF1S22N10

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
RF1S15N06 Harris Corporation 2,400 DISCRETE ,LOGIC LEVEL GATE (5V),
RF1S15N06SM Harris Corporation 4,894 N-CHANNEL POWER MOSFET
RF1S15N08L Harris Corporation 800 LOGIC LEVEL GATE (5V) DEVICE
RF1S17N06L Harris Corporation 4,370 DISCRETE ,LOGIC LEVEL GATE (5V),
RF1S17N06LSM Harris Corporation 4,000 LOGIC LEVEL GATE (5V) DEVICE
RF1S22N10SM Harris Corporation 3,853 N-CHANNEL POWER MOSFET
RF1S23N06LE Harris Corporation 2,400 23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,
RF1S23N06LESM Harris Corporation 5,549 N-CHANNEL POWER MOSFET
RF1S23N06LESM9A Harris Corporation 800 N-CHANNEL POWER MOSFET
RF1S25N06 Harris Corporation 35,000 25A, 60V, 0.047 OHM, N-CHANNEL P
RF1S25N06SM Harris Corporation 3,005 N-CHANNEL POWER MOSFET
RF1S25N06SM9A Harris Corporation 4,000 N-CHANNEL POWER MOSFET
RF1S25N06SMR4643 Harris Corporation 3,200 25A, 60V, 0.047 OHM, N-CHANNEL
RF1S30N06LE Harris Corporation 1,848 30A, 60V, 0.047OHM, N-CHANNEL,
RF1S30N06LESM9A Harris Corporation 35,000 N-CHANNEL POWER MOSFET