PMDT290UNEYL

Производитель-деталь №
PMDT290UNEYL
Производитель
Nexperia
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
PMDT290UNEYL
Описание
PMDT290UNE/SOT666/SOT6
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Nexperia
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
FET Feature :
Standard
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
0.68nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
83pF @ 10V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
SOT-563, SOT-666
Power - Max :
500mW (Ta)
Product Status :
Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380mOhm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package :
SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
lang_0258
PMDT290UNEYL

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • EPC
    GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
  • EPC
    GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 1200V 300A
  • Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
    MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 20V SOT26

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
PMDT290UCE,115 Nexperia 35,000 MOSFET N/P-CH 20V SOT666
PMDT290UCEH Nexperia 35,000 PMDT290UCE/SOT666/SOT6
PMDT290UCEH Nexperia 35,000 PMDT290UCE - 20 / 20 V, 800 / 55
PMDT290UNE,115 Nexperia 2,750 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
PMDT290UNE115 Nexperia 35,000 NOW NEXPERIA PMDT290UNE SMALL SI
PMDT670UPE,115 Nexperia 35,000 MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666