BLA6H1011-600

Производитель-деталь №
BLA6H1011-600
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
BLA6H1011-600
Описание
RF PFET, 2-ELEMENT, L BAND, SILI
lang_0071
29

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
NXP Semiconductors
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
-
Drain to Source Voltage (Vdss) :
-
FET Feature :
-
FET Type :
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
-
Package / Case :
-
Power - Max :
-
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Supplier Device Package :
-
Vgs(th) (Max) @ Id :
-
lang_0258
BLA6H1011-600

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • EPC
    GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
  • EPC
    GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 1200V 300A
  • Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
    MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 20V SOT26

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
BLA6G1011-200R,112 Ampleon 35,000 RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
BLA6G1011L-200RG112 NXP Semiconductors 40 POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT502 (
BLA6G1011LS-200RG11 NXP Semiconductors 1 POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT502 (
BLA6H0912-500,112 Ampleon 35,000 RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
BLA6H0912-500112 NXP Semiconductors 94 BLA6H0912-500 - LDMOS AVIONICS R
BLA6H0912LS-1000U Ampleon 35,000 RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B
BLA6H1011-600,112 Ampleon 35,000 RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A
BLA6H1011-600,112 NXP Semiconductors 40 TRANS AVIONICS PWR LDMOS SOT539A
BLA6H1011-600,112-AMP Ampleon 35,000 RF PFET, 2-ELEMENT, L BAND, SILI