BLA6G1011L-200RG112
- Производитель-деталь №
- BLA6G1011L-200RG112
- Производитель
- NXP Semiconductors
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- BLA6G1011L-200RG112
- Описание
- POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT502 (
- lang_0071
- 40
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- NXP Semiconductors
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- Current - Collector (Ic) (Max) :
- -
- Current - Collector Cutoff (Max) :
- -
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
- -
- Frequency - Transition :
- -
- Mounting Type :
- -
- Operating Temperature :
- -
- Package / Case :
- -
- Power - Max :
- -
- Product Status :
- Active
- Supplier Device Package :
- -
- Transistor Type :
- -
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
- -
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
- -
- lang_0258
- BLA6G1011L-200RG112
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| BLA6G1011-200R,112 | Ampleon | 35,000 | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A |
| BLA6G1011LS-200RG11 | NXP Semiconductors | 1 | POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT502 ( |
| BLA6H0912-500,112 | Ampleon | 35,000 | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A |
| BLA6H0912-500112 | NXP Semiconductors | 94 | BLA6H0912-500 - LDMOS AVIONICS R |
| BLA6H0912LS-1000U | Ampleon | 35,000 | RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B |
| BLA6H1011-600 | NXP Semiconductors | 29 | RF PFET, 2-ELEMENT, L BAND, SILI |
| BLA6H1011-600,112 | Ampleon | 35,000 | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A |
| BLA6H1011-600,112 | NXP Semiconductors | 40 | TRANS AVIONICS PWR LDMOS SOT539A |
| BLA6H1011-600,112-AMP | Ampleon | 35,000 | RF PFET, 2-ELEMENT, L BAND, SILI |
