IRD3CH101DB6
- Производитель-деталь №
- IRD3CH101DB6
- Производитель
- Infineon Technologies
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- IRD3CH101DB6
- Описание
- DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Infineon Technologies
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
- Capacitance @ Vr, F :
- -
- Current - Average Rectified (Io) :
- 200A
- Current - Reverse Leakage @ Vr :
- 3.6 µA @ 1200 V
- Diode Type :
- Standard
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature - Junction :
- -40°C ~ 175°C
- Package / Case :
- Die
- Product Status :
- Obsolete
- Reverse Recovery Time (trr) :
- 360 ns
- Speed :
- Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Supplier Device Package :
- Die
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
- 1200 V
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
- 2.7 V @ 200 A
- lang_0258
- IRD3CH101DB6
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| IRD3900 | Vishay | 35,000 | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AB |
| IRD3901 | Vishay | 35,000 | DIODE GEN PURP 200V 20A DO203AB |
| IRD3901R | Vishay | 35,000 | DIODE GEN PURP 200V 20A DO203AB |
| IRD3902 | Vishay | 35,000 | DIODE GEN PURP 300V 20A DO203AB |
| IRD3903 | Vishay | 35,000 | DIODE GEN PURP 400V 20A DO203AB |
| IRD3903R | Vishay | 35,000 | DIODE GEN PURP 400V 20A DO203AB |
| IRD3909 | Vishay | 35,000 | DIODE GEN PURP 50V 30A DO203AB |
| IRD3909R | Vishay | 35,000 | DIODE GEN PURP 50V 30A DO203AB |
| IRD3910 | Vishay | 35,000 | DIODE GEN PURP 100V 30A DO203AB |
| IRD3910R | Vishay | 35,000 | DIODE GEN PURP 100V 30A DO203AB |
| IRD3911 | Vishay | 35,000 | DIODE GEN PURP 200V 30A DO203AB |
| IRD3912 | Vishay | 35,000 | DIODE GEN PURP 300V 30A DO203AB |
| IRD3CH101DD6 | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED |
| IRD3CH101DF6 | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED |
| IRD3CH11DB6 | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE |
