IRD3901

Производитель-деталь №
IRD3901
Производитель
Vishay
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
IRD3901
Описание
DIODE GEN PURP 200V 20A DO203AB
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Vishay
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
20A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
50 µA @ 200 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Chassis, Stud Mount
Operating Temperature - Junction :
-40°C ~ 125°C
Package / Case :
DO-203AB, DO-5, Stud
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
350 ns
Speed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
DO-203AB (DO-5)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.65 V @ 62.8 A
lang_0258
IRD3901

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • ROHM Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB
  • onsemi
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
  • Nexperia
    DIODE GP 100V 215MA TO236AB

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IRD3900 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AB
IRD3901R Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 200V 20A DO203AB
IRD3902 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 300V 20A DO203AB
IRD3903 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 400V 20A DO203AB
IRD3903R Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 400V 20A DO203AB
IRD3909 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 50V 30A DO203AB
IRD3909R Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 50V 30A DO203AB
IRD3910 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 100V 30A DO203AB
IRD3910R Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 100V 30A DO203AB
IRD3911 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 200V 30A DO203AB
IRD3912 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 300V 30A DO203AB
IRD3CH101DB6 Infineon Technologies 35,000 DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
IRD3CH101DD6 Infineon Technologies 35,000 DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
IRD3CH101DF6 Infineon Technologies 35,000 DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
IRD3CH11DB6 Infineon Technologies 35,000 DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE