Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
Drain to Source Voltage (Vdss):
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
FET Feature:
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
Package / Case:
Power Dissipation (Max):
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Supplier Device Package:
Vgs (Max):
Изображение Деталь Производитель Описание Stock Действие
BSM180C12P3C202 ROHM Semiconductor
SICFET N-CH 1200V 18...
RFQ
11
In-stock
Получить предложение
BSM300C12P3E201 ROHM Semiconductor
SICFET N-CH 1200V 30...
RFQ
4
In-stock
Получить предложение
BSM300C12P3E301 ROHM Semiconductor
SICFET N-CH 1200V 30...
RFQ
35,000
In-stock
Получить предложение
RE1C002ZPTL ROHM Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 200M...
RFQ
8
In-stock
Получить предложение
1 / 1 Page, 4 Records