1EBN1001AEXUMA1

Производитель-деталь №
1EBN1001AEXUMA1
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
1EBN1001AEXUMA1
Описание
IC GATE DRV HI/LOW SIDE DSO14-43
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Power Management (PMIC) > Gate Drivers
Channel Type :
Single
Current - Peak Output (Source, Sink) :
-
Driven Configuration :
High-Side or Low-Side
Gate Type :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
High Side Voltage - Max (Bootstrap) :
1200 V
Input Type :
-
Logic Voltage - VIL, VIH :
1.5V, 3.5V
Mounting Type :
Surface Mount
Number of Drivers :
1
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Product Status :
Active
Rise / Fall Time (Typ) :
50ns, 90ns
Supplier Device Package :
PG-DSO-14-43
Voltage - Supply :
13V ~ 18V
lang_0258
1EBN1001AEXUMA1

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • EPC
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP
  • Renesas Electronics Corporation
    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8TDFN
  • Diodes Incorporated
    IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
  • Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPE
  • Diodes Incorporated
    IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
1EBN1002AEXUMA1 Infineon Technologies 35,000 ISOLATED_HVGD PG-DSO-14