EMD4E001G16G2-150CAS2
- Производитель-деталь №
- EMD4E001G16G2-150CAS2
- Производитель
- Everspin Technologies, Inc.
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- EMD4E001G16G2-150CAS2
- Описание
- IC RAM 1GBIT PAR 667MHZ 96BGA
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Everspin Technologies, Inc.
- Категория товара :
- Memory > Memory
- Access Time :
- 18 ns
- Clock Frequency :
- 667 MHz
- Memory Format :
- RAM
- Memory Interface :
- Parallel
- Memory Size :
- 1Gb (64M x 16)
- Memory Type :
- Non-Volatile
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- 0°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case :
- 96-TFBGA
- Product Status :
- Active
- Supplier Device Package :
- 96-BGA (10x13)
- Technology :
- MRAM (Magnetoresistive RAM)
- Voltage - Supply :
- 1.14V ~ 1.26V
- Write Cycle Time - Word, Page :
- 15ns
- lang_0258
- EMD4E001G16G2-150CAS2
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| EMD4000B | Amphenol Telaire | 35,000 | SENSOR HUMIDITY |
| EMD4DXV6T1G | onsemi | 35,000 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 |
| EMD4DXV6T5 | onsemi | 416,000 | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR |
| EMD4DXV6T5G | onsemi | 35,000 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 |
| EMD4S | Rectron USA | 35,000 | BRIDGE RECT GLASS 200V 1A MDS |
| EMD4T2R | ROHM Semiconductor | 5,974 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
