3N187

Производитель-деталь №
3N187
Производитель
Harris Corporation
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
3N187
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Harris Corporation
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - JFETs
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) :
5 mA @ 15 V
Current Drain (Id) - Max :
-
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20 V
FET Type :
N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
8.5pF @ 15V
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Power - Max :
330 mW
Product Status :
Active
Resistance - RDS(On) :
-
Supplier Device Package :
TO-72
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) :
6.5 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id :
500 mV @ 50 µA
lang_0258
3N187

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары