AIHD15N60RFATMA1
- Производитель-деталь №
- AIHD15N60RFATMA1
- Производитель
- Infineon Technologies
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- AIHD15N60RFATMA1
- Описание
- IC DISCRETE 600V TO252-3
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Infineon Technologies
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
- Current - Collector (Ic) (Max) :
- 30 A
- Current - Collector Pulsed (Icm) :
- 45 A
- Gate Charge :
- 90 nC
- IGBT Type :
- Trench Field Stop
- Input Type :
- Standard
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case :
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Power - Max :
- 240 W
- Product Status :
- Obsolete
- Reverse Recovery Time (trr) :
- -
- Supplier Device Package :
- PG-TO252-3-313
- Switching Energy :
- 270µJ (on), 250µJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C :
- 13ns/160ns
- Test Condition :
- 400V, 15A, 15Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
- 2.5V @ 15V, 15A
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
- 600 V
- lang_0258
- AIHD15N60RFATMA1
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| AIHD03N60RFATMA1 | Infineon Technologies | 35,000 | IC DISCRETE 600V TO252-3 |
| AIHD04N60RATMA1 | Infineon Technologies | 35,000 | IC DISCRETE 600V TO252-3 |
| AIHD04N60RFATMA1 | Infineon Technologies | 35,000 | IC DISCRETE 600V TO252-3 |
| AIHD06N60RATMA1 | Infineon Technologies | 35,000 | IC DISCRETE 600V TO252-3 |
| AIHD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | 35,000 | IC DISCRETE 600V TO252-3 |
| AIHD10N60RATMA1 | Infineon Technologies | 35,000 | IC DISCRETE 600V TO252-3 |
| AIHD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies | 35,000 | IC DISCRETE 600V TO252-3 |
| AIHD15N60RATMA1 | Infineon Technologies | 35,000 | IC DISCRETE 600V TO252-3 |
| AIHDP-7500T-8G-2.5S256G-P216B12 | EFCO | 1 | INTEL6TH/7TH GEN SKY LAKE S/ KAB |
