FGP15N60UNDF

Производитель-деталь №
FGP15N60UNDF
Производитель
onsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
FGP15N60UNDF
Описание
IGBT 600V 30A 178W TO220-3
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
onsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
45 A
Gate Charge :
43 nC
IGBT Type :
NPT
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3
Power - Max :
178 W
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
82.4 ns
Supplier Device Package :
TO-220-3
Switching Energy :
370µJ (on), 67µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
9.3ns/54.8ns
Test Condition :
400V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
600 V
lang_0258
FGP15N60UNDF

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
FGP10B-E3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
FGP10B-E3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
FGP10BHE3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
FGP10BHE3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
FGP10C-E3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 150V 1A DO204AL
FGP10C-E3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 150V 1A DO204AL
FGP10CHE3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 150V 1A DO204AL
FGP10CHE3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 150V 1A DO204AL
FGP10D-E3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
FGP10D-E3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
FGP10D-M3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
FGP10D-M3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
FGP10DHE3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
FGP10DHE3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
FGP10DHM3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL