FGP5N60LS

Производитель-деталь №
FGP5N60LS
Производитель
onsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
FGP5N60LS
Описание
IGBT FIELD STOP 600V 10A TO220-3
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
onsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
36 A
Gate Charge :
18.3 nC
IGBT Type :
Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3
Power - Max :
83 W
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Supplier Device Package :
TO-220-3
Switching Energy :
38µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
4.3ns/36ns
Test Condition :
400V, 5A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
3.2V @ 12V, 14A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
600 V
lang_0258
FGP5N60LS

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
FGP50B-E3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 100V 5A GP20
FGP50B-E3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 100V 5A GP20
FGP50BHE3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 100V 5A GP20
FGP50BHE3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 100V 5A GP20
FGP50C-E3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 150V 5A GP20
FGP50C-E3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 150V 5A GP20
FGP50CHE3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 150V 5A GP20
FGP50CHE3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 150V 5A GP20
FGP50D-E3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 200V 5A GP20
FGP50D-E3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 200V 5A GP20
FGP50DHE3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 200V 5A GP20
FGP50DHE3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 200V 5A GP20
FGP5N60UFDTU onsemi 35,000 IGBT 600V 10A 81W TO220