SGF80N60UFTU

Производитель-деталь №
SGF80N60UFTU
Производитель
onsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
SGF80N60UFTU
Описание
IGBT 600V 80A 110W TO3PF
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
onsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
220 A
Gate Charge :
175 nC
IGBT Type :
-
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-3P-3 Full Pack
Power - Max :
110 W
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Supplier Device Package :
TO-3PF
Switching Energy :
570µJ (on), 590µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
23ns/90ns
Test Condition :
300V, 40A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.6V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
600 V
lang_0258
SGF80N60UFTU

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
SGF80N60UFTU Fairchild Semiconductor 22,132 IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
SGF80N60UFTU-ON onsemi 3,213 IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL