FGB40N6S2T

Производитель-деталь №
FGB40N6S2T
Производитель
onsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
FGB40N6S2T
Описание
IGBT 600V 75A 290W TO263AB
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
onsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
75 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
180 A
Gate Charge :
35 nC
IGBT Type :
-
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max :
290 W
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263)
Switching Energy :
115µJ (on), 195µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
8ns/35ns
Test Condition :
390V, 20A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
600 V
lang_0258
FGB40N6S2T

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
FGB40N60SM Fairchild Semiconductor 35,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGB40N60SM onsemi 35,000 IGBT FIELD STOP 600V 80A D2PAK
FGB40N6S2 Fairchild Semiconductor 12,383 N-CHANNEL IGBT
FGB40N6S2 onsemi 35,000 IGBT 600V 75A 290W TO263AB
FGB40N6S2T Fairchild Semiconductor 2,449 N-CHANNEL IGBT
FGB40T65SPD-F085 onsemi 35,000 IGBT FIELD STOP 650V 80A D2PAK