FGP30N6S2

Производитель-деталь №
FGP30N6S2
Производитель
onsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
FGP30N6S2
Описание
IGBT 600V 45A 167W TO220AB
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
onsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
45 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
108 A
Gate Charge :
23 nC
IGBT Type :
-
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3
Power - Max :
167 W
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Supplier Device Package :
TO-220-3
Switching Energy :
55µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
6ns/40ns
Test Condition :
390V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.5V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
600 V
lang_0258
FGP30N6S2

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
FGP3040G2 Fairchild Semiconductor 5,693 IGBT 41A, 390V, N CHANNEL
FGP3040G2-F085 onsemi 35,000 IGBT 400V 41A TO220-3
FGP3040G2-F085 Fairchild Semiconductor 35,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGP30B-E3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 100V 3A DO204AC
FGP30B-E3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 100V 3A DO204AC
FGP30BHE3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 100V 3A DO204AC
FGP30BHE3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 100V 3A DO204AC
FGP30C-E3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 150V 3A DO204AC
FGP30C-E3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 150V 3A DO204AC
FGP30CHE3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 150V 3A DO204AC
FGP30CHE3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 150V 3A DO204AC
FGP30D-E3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 200V 3A DO204AC
FGP30D-E3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 200V 3A DO204AC
FGP30DHE3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 200V 3A DO204AC
FGP30DHE3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 200V 3A DO204AC