FGB5N60UNDF

Производитель-деталь №
FGB5N60UNDF
Производитель
Fairchild Semiconductor
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
FGB5N60UNDF
Описание
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Fairchild Semiconductor
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
15 A
Gate Charge :
12.1 nC
IGBT Type :
NPT
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max :
73.5 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
35 ns
Supplier Device Package :
TO-263AB (D²PAK)
Switching Energy :
80µJ (on), 70µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
5.4ns/25.4ns
Test Condition :
400V, 5A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
600 V
lang_0258
FGB5N60UNDF

Продукты, связанные с производителем

  • Fairchild Semiconductor
    TVS DIODE 15.3VWM 25.5VC DO214AC
  • Fairchild Semiconductor
    TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO204AC
  • Fairchild Semiconductor
    TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO204AC
  • Fairchild Semiconductor
    TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO15
  • Fairchild Semiconductor
    TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO15

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
FGB5N60UNDF onsemi 35,000 IGBT NPT 600V 10A D2PAK