IKB30N65ES5ATMA1

Производитель-деталь №
IKB30N65ES5ATMA1
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
IKB30N65ES5ATMA1
Описание
IGBT TRENCH/FS 650V 62A D2PAK
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
62 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
120 A
Gate Charge :
70 nC
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max :
188 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
75 ns
Supplier Device Package :
PG-TO263-3
Switching Energy :
560µJ (on), 320µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
17ns/124ns
Test Condition :
400V, 30A, 13Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
1.7V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
650 V
lang_0258
IKB30N65ES5ATMA1

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IKB30N65EH5ATMA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT TRENCH/FS 650V 55A D2PAK