IKB20N65EH5ATMA1

Производитель-деталь №
IKB20N65EH5ATMA1
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
IKB20N65EH5ATMA1
Описание
INDUSTRY 14
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
38 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
60 A
Gate Charge :
48 nC
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max :
125 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
80 ns
Supplier Device Package :
PG-TO263-3
Switching Energy :
560µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
19ns/160ns
Test Condition :
400V, 20A, 32Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
650 V
lang_0258
IKB20N65EH5ATMA1

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IKB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies 990 IGBT 600V 40A 170W TO263-3
IKB20N60TAATMA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 600V 40A TO263-3
IKB20N60TAATMA1372 Infineon Technologies 35,000 IKB20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
IKB20N60TATMA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 600V 40A 166W TO263-3