IKB15N65EH5ATMA1

Производитель-деталь №
IKB15N65EH5ATMA1
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
IKB15N65EH5ATMA1
Описание
INDUSTRY 14
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
45 A
Gate Charge :
38 nC
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max :
105 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
70 ns
Supplier Device Package :
PG-TO263-3
Switching Energy :
400µJ (on), 80µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
16ns/145ns
Test Condition :
400V, 15A, 39Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
650 V
lang_0258
IKB15N65EH5ATMA1

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 600V 20A 110W TO263-3
IKB15N60T Infineon Technologies 35,000 IKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
IKB15N60TATMA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 600V 30A 130W TO263-3