SGB02N120ATMA1

Производитель-деталь №
SGB02N120ATMA1
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
SGB02N120ATMA1
Описание
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
6.2 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
9.6 A
Gate Charge :
11 nC
IGBT Type :
NPT
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max :
62 W
Product Status :
Last Time Buy
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Switching Energy :
220µJ
Td (on/off) @ 25°C :
23ns/260ns
Test Condition :
800V, 2A, 91Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
3.6V @ 15V, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
lang_0258
SGB02N120ATMA1

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
SGB02N120CT Infineon Technologies 35,000 IGBT, 2A, 1200V, N-CHANNEL
SGB02N60ATMA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 600V 6A 30W TO263-3
SGB06N60ATMA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 600V 12A 68W TO263-3
SGB07N120ATMA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 1200V 16.5A 125W TO263-3-2