IGP20N60H3ATMA1

Производитель-деталь №
IGP20N60H3ATMA1
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
IGP20N60H3ATMA1
Описание
IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
80 A
Gate Charge :
120 nC
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3
Power - Max :
170 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Supplier Device Package :
PG-TO220-3-1
Switching Energy :
450µJ (on), 240µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
16ns/194ns
Test Condition :
400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
600 V
lang_0258
IGP20N60H3ATMA1

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IGP20N60H3 Infineon Technologies 35,000 IGP20N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
IGP20N60H3XKSA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT TRENCH/FS 600V 40A TO220-3
IGP20N65F5XKSA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3
IGP20N65H5XKSA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 650V 42A TO220-3