FGY60T120SQDN
- Производитель-деталь №
- FGY60T120SQDN
- Производитель
- onsemi
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- FGY60T120SQDN
- Описание
- IGBT 1200V 60A UFS
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- onsemi
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
- Current - Collector (Ic) (Max) :
- 120 A
- Current - Collector Pulsed (Icm) :
- 240 A
- Gate Charge :
- 311 nC
- IGBT Type :
- -
- Input Type :
- Standard
- Mounting Type :
- Through Hole
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case :
- TO-247-3 Variant
- Power - Max :
- 517 W
- Product Status :
- Active
- Reverse Recovery Time (trr) :
- -
- Supplier Device Package :
- TO-247-3
- Switching Energy :
- -
- Td (on/off) @ 25°C :
- 52ns/296ns
- Test Condition :
- 600V, 60A, 10Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
- 1.95V @ 15V, 60A
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
- 1200 V
- lang_0258
- FGY60T120SQDN
