IGB30N60H3ATMA1

Производитель-деталь №
IGB30N60H3ATMA1
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
IGB30N60H3ATMA1
Описание
IGBT 600V 60A 187W TO263-3
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
120 A
Gate Charge :
165 nC
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max :
187 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Switching Energy :
1.17mJ
Td (on/off) @ 25°C :
18ns/207ns
Test Condition :
400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
600 V
lang_0258
IGB30N60H3ATMA1

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IGB30N60H3XKSA1 Infineon Technologies 35,000 HIGH SPEED 600V, 30A IGBT
IGB30N60T Infineon Technologies 3,594 IGB30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
IGB30N60TATMA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 600V 60A 187W TO263-3-2