IKW03N120H

Производитель-деталь №
IKW03N120H
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
IKW03N120H
Описание
IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
lang_0071
955

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
9.6 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
9.9 A
Gate Charge :
22 nC
IGBT Type :
-
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-247-3
Power - Max :
62.5 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
42 ns
Supplier Device Package :
PG-TO247-3-21
Switching Energy :
140µJ (on), 150µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
9.2ns/281ns
Test Condition :
800V, 3A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.8V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
lang_0258
IKW03N120H

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IKW03N120H2 Infineon Technologies 35,000 IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
IKW03N120H2FKSA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
IKW08N120CS7XKSA1 Infineon Technologies 163 INDUSTRY 14 PG-TO247-3
IKW08T120FKSA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 1200V 16A TO247-3